プレスリリース概要
多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、スーパー･ジャンクション型のNチャネル･マルチドレインSi（シリコン）パワーMOSFET「STPOWER MDmesh M9シリーズ」および「DM9シリーズ」を発表しました。
発表日：2022年5月20日
多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、スーパー･ジャンクション型のNチャネル･マルチドレインSi（シリコン）パワーMOSFET「STPOWER MDmesh M9シリーズ」および「DM9シリーズ」を発表しました。これらの製品は、データ･センター用サーバや5G通信基地局、フラット･パネルTVなど、幅広いアプリケーションのスイッチング電源（SMPS）に最適です。
MDmesh M9 / DM9シリーズ初の製品となる「STP65N045M9」（650V耐圧）および「STP60N043DM9」（600V耐圧）は、いずれも単位面積あたりのオン抵抗（RDS(on)）が極めて低いため、電力密度の最大化や小型システムの実現に貢献します。最大オン抵抗は、STP65N045M9が45mΩ、STP60N043DM9が43mΩで、きわめて優れた性能を備えています。また、両製品ともにドレイン電圧400Vにおけるゲート電荷（Qg）が80nC（Typ.）と非常に低く、現在STから提供されている製品において、最高のスイッチング性能（オン抵抗 x ゲート電荷）を備えています。
ゲートしきい値電圧（VGS(th)）は、STP65N045M9で3.7V（Typ.）、STP60N043DM9で4.0V（Typ.）となっており、従来製品であるMDmesh M5シリーズやM6 / DM6シリーズと比べ、ターンオン / オフ時のスイッチング損失を最小化することができます。また、MDmesh M9 / DM9シリーズは、逆回復電荷（Qrr）と逆回復時間（trr）が極めて低いため、電力効率およびスイッチング性能の向上に貢献します。
STの最新の高電圧MDmesh技術は、高速の内蔵ボディ･ダイオードを実現する追加の白金拡散プロセスを特徴とし、従来のプロセスよりも高いノイズ耐性（dV/dt）を実現しています。また、MDmesh DM9技術を採用した製品は非常に堅牢で、400Vで最大120V/nsのノイズ耐性（dv/dt）を備えています。
「STP65N045M9」および「STP60N043DM9」は現在量産中で、両製品ともにTO-220パッケージで提供されます。2022年第2四半期末に販売代理店での販売を開始する予定で、STP65N045M9の単価は1000個購入時に約6.30ドルです。2022年後半には、表面実装型パッケージとスルーホール型の標準パッケージンも追加される予定です。
詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
（ https://www.st.com/ja/power-transistors/mdmesh-m9-series.html?icmp=tt26489_gl_pron_may2022 ）
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約48,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な独立系総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、IoT･5G通信の普及を可能にします。STは、2027年までのカーボン･ニュートラルの実現を目標にしています。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st.com ）をご覧ください。
